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理工農醫
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矽元件與積體電路製程
作者
:
李明逵 (著)
出版社
:
全華圖書股份有限公司
出版日期
:
2007
閱讀格式
:
PDF
書籍分類
:
理工農醫
學科分類
:
應用科學類
ISBN
:
9789572143551
半導體
晶圓
積體電路
電路
金屬化
摻雜
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目錄
第0章 半導體與積體電路之發展史
0-1 半導體之緣起(Semiconductor History)
0-2 電晶體(Transistor)
0-3 積體電路(Integrated Circuit)
0-4 半導體製程(Semiconductor Processes)
第1章 半導體物理與材料(一)
1-1 原子模型與週期表(Atomic Model and Periodic Table)
1-2 晶體結構(Crystal Structure)
1-3 物質種類(Types of Material)
1-4 本質矽,質量作用定律(Intrinsic Silicon,Mass-action Law)
1-5 摻雜質,負型和正型(Dopant,n-type and p-type
習題
第2章 半導體物理與材料(二)
2-1 能帶(Energy Band)
2-2 電阻係數與薄片電阻(Resistivity and Sheet Resistance
2-3 載子傳輸(Carrier Transport)
習題
第3章 積體電路(Ⅰ):半導體元件
3-1 二極體(Diode)
3-2 雙載子電晶體(Bipolar Transistor)
3-3 金氧半場效電晶體
3-4 互補金氧半場效電晶體(CMOS,Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
3-5 電阻(Resistor)
3-6 電容(Capacitor)
3-7 電感(Inductor)
習題
第4章 積體電路(Ⅱ):製程、電路與佈局
4-1 雙載子製程技術(Bipolar Fabrication Technology)
4-2 MOS製程技術(MOS Fabrication Technology)
4-3 電路與積體電路(Circuit and Integrated Circuit)
4-4 設計原則(Design Rules)
4-5 佈局原則(Layout)
習題
第5章 矽晶圓之製作(一)
5-1 原料配製(Starting Materials)
5-2 晶體生長時摻雜質之分佈(Dopants Distribution in Crystal Growth)
5-3 晶體缺陷(Crystal Defects)
習題
第6章 矽晶圓之製作(二)
6-1 晶體方向(Crystal Orientation)
6-2 矽晶棒生長(Silicon Ingot Growth)
6-3 晶片方向,切割,和拋光(Orientation,Sawing,and Polishing)
6-4 十二吋晶圓效益分析
習題
第7章 矽磊晶的成長(一)
7-1 磊晶膜(Epitaxial Layout)
7-2 磊晶原理(Epitaxy Theory)
7-3 磊晶膜之生長程序Growth of Epitaxial Layer
習題
第8章 矽磊晶的成長(二)
8-1 磊晶系統(Epitaxy System)
8-2 磊晶膜之評估Evaluation of Epitaxial Layers)
習題
第9章 氧化製程(一)
9-1 二氧化矽與氧化(Silicon Dioxide and Oxidation)
9-2 熱氧化爐(Thermal Oxidation Furnance)
9-2 氧化程序(The Oxidation Process)
9-3 氧化膜之評估(Oxide Evaluation)
9-4 氧化膜品質改進方法(Improvement of Oxide Quality)
習題
第10章 氧化製程(二)
10-1氧化膜厚度之決定(Oxide Thickness Determination)
10-2 氧化反應(Oxidation Reaction)
10-3 薄氧化層(Thin Oxide)
10-4 熱氧化時摻雜原子之重行分佈(Redistribution of Dopant Atoms During Thermal Oxidation)
習題
第11章 摻雜質之擴散植入(一)
11-1 擴散概念(The Idea of Diffusion)
11-2 擴散過程(The Diffusion Process)
11-3 擴散之分佈曲線(Distribution of Diffusion)
習題
第12章 摻雜質之離子植入(二)
12-1 離子植入(Ion Implantation)
12-2 褪火(annealing)
12-3 離子佈植在CMOS積體電路製程上的應用(Ion Implantation in CMOS IC Fabrication)
12-3-1 調整電晶體起始臨界電壓(Transistor Threshold Voltage Adjustment)
12-3-2 形成N及P型井區(Nand P Wells Formation)
12-3-3 電晶體的隔離(Isolation)
12-3-4 形成電晶體的源極與汲極(Source and Drain Formation)
12-3-5 形成低摻雜濃度的汲極(Lightly-Doped Drain Formation)
12-3-6 摻雜複晶矽(Poly-silicon Doping)
12-4 離子佈植製程實務(Problems in Ion Implantation)
12-4-1 晶圓冷卻(Wafer Cooling)
12-4-2 光阻問題(Resist Problems)
12-4-3 電荷中和(Charge Neutralization)
12-3-4 微塵與污染(Dust and Contamination)
習題
第13章 微影蝕刻術(一)
13-1 微影蝕刻技術(Lithography)
13-2 光罩之製作(Fabrication of Mask)
13-3 光微影術(photolithography)
13-4 微影術之光源(Photolithographic sources)
13-4-1 X光微影(X-ray Lithography)
13-4-2 電子束微影(Electron Beam Lithography)
習題
第14章 微影蝕刻術(二)
14-1 濕、乾蝕刻(Wet and Dry Etching)
14-2 濕蝕刻(Wet Etching)
14-3 乾蝕刻(Dry Etching)
14-3-1 電漿反應器中基板被覆區之生成機制(mechanism of sheath formation on substrate in plasma reactor
14-3-2 底切與非均向性蝕刻(undercut and anisotropic etching)
14-4 乾蝕刻反應器(Dry Etching Reactors)
14-4-1 電容耦合式電漿反應器(Capacitance Coupled Plasma Reactor)
14-4-2 電感耦合式電漿反應器(Inductance Coupled Plasma Reactor-ICP)
習題
第15章 化學氣相沉積
15-1 化學氣相沈積概念(Introduction of CVD)
15-2 化學氣相沈積流程(CVD Procedures)
15-3 低壓化學氣相沉積(LPCVD-Low Pressure CVD)
15-4 電漿化學氣相沉積(PCVD-Plasma CVD)
15-5 光照射化學氣相沉積(Photo CVD)
15-6 液相沉積法(Liquid Phase Deposition)
習題
第16章 金屬接觸與蒸著
16-1 金屬化之要求(Metallization Requirements)
16-2 真空蒸著(Vacuum Deposition)
16-3 蒸著技術(Deposition Techniques)
16-4 真空蒸著程序(Vacuum Deposition Procedure)
16-5 合金/退火(Alloy/Anneal)
16-6 銅製程技術(Copper Processes)
習題
第17章 製程潔淨控制與安全(一)
17-1 潔淨程序與藥品(Cleaning Procedures and Chemicals)
17-2 水(Water)
17-3 空氣/無塵室(Air/Clean Room)
17-4 人員(Personnel)
17-5 化學藥品(Chemicals)
17-6 氣體(Gases)
習題
第18章 製程潔淨控制與安全(二)
18-1 高壓氣瓶(High Pressure Cyclinder)
18-1-1 高壓氣瓶之使用
18-2 壓力調節器(Regulator)
18-3 吹淨(Blow Up)
18-4 洩漏偵測(Leak Check)
18-5 設備上應注意事項(Equipment Check)
18-6 廢氣之排放(Exhaust)
18-6-1 氣體排放
18-6-2 排放氣體的除害
18-7 緊急時應注意事項(Emergency)
18-7-1 洩漏氣體時的緊急處置
18-7-2 發生火警時的緊急處置
18-7-3 中毒時的緊急處置
18-7-4 預防
習題
第19章 半導體元件之縮小化
19-1 金氧半電晶體之縮小化(Scaling of MOS Trasistor)
19-2 短通道效應(short-channel effects)
19-2-1 速度飽和效應(velocity saturation)
19-2-2 通道長度調變效應(channel-length modulation)
19-2-3 次臨界電流效應(subthreshold current)
19-2-4 擊穿效應(punchthrough)
19-2-5 CMOS閂啓(1atch-up)
習題
第20章 積體電路封裝
20-1 積體電路封裝(IC Package)
20-1-1 積體電路中半導體元件失效的主因(IC Failure Analysis)
20-1-2 封裝的目的(Target of Packaging)
20-1-3 積體電路封裝材料的要求(Material Reguirement)
20-2 封裝分類(Classification)
20-3 封裝流程(Packaging Flow Chart)
20-3-1 背面研磨(Back-Side Grinding)
20-3-2 晶粒揀選(Chip Sorting)
20-3-3 晶圓切割(Sawing)
20-3-4 銲晶(Die Attaching)
20-3-5 銲線(Wire Bonding)
20-3-6 封膠(Molding)
20-3-7 電鍍(Solder Plating
20-3-8 彎腳成形(Forming)
20-3-9 最後測試(Final Testing)
20-3-10 打包(Packing)
習題
詳細資訊
國際計量
出版地
:
臺灣
語言
:
繁體中文
矽元件與積體電路製程
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